人工晶体学报2015，Vol.44Issue(6)：1498-1503,6.
用于GaN薄膜生长的γ-LiAlO2晶体基片制备工艺研究
Study on the Preparation Process of γ-LiAlO2 Crystal Substrate Used for Epitaxial Growth of GaN Thin Film
摘要
关键词
铝酸锂晶体/氮化镓薄膜/表面粗糙度/二氧化硅/抛光Key words
LiAlO2 crystal/GaN thin film/surface roughness/silicon dioxide/polishing分类
数理科学引用本文复制引用
郑威,齐涛,姜凯丽..用于GaN薄膜生长的γ-LiAlO2晶体基片制备工艺研究[J].人工晶体学报,2015,44(6):1498-1503,6.基金项目
黑龙江省留学归国科学基金项目(LC201023) （LC201023）
教育部科学技术重点研究项目(211044) （211044）
