硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of Boron on Nitrogen Doped p-type ZnO Thin Films
利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B-N键。 B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO.( B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B-N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B-N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。
A stable and repeatable p-type ZnO is the key to realize the practical applications of photoe-lectric devices. Nitrogen has been considered as a possible acceptor dopant for p-type ZnO for a long time. However, the low solubility of nitrogen acceptor at oxygen site in ZnO is considered to be one of the main obstacles for p-type ZnO. In this paper, B/N co-doped p-type ZnO thin films were grown on sapphire substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy. T…查看全部>>
赵鹏程;申德振;张振中;姚斌;李炳辉;王双鹏;姜明明;赵东旭;单崇新;刘雷
发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033 中国科学院大学，北京 100049发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033吉林大学 物理学院，吉林 长春 130023发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 130033
数理科学
ZnOB/N共掺p型掺杂
ZnOB/N codopedstable p-type conduction
《发光学报》 2014 (7)
795-799,5
国家“973冶计划(2011CB302002,2011CB302005)国家自然科学基金(11134009,11074248,11104265)资助项目
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