执行期间，共发表论文309篇，其中SCI收录252篇；获“使用压片机制备热中子闪烁体转换屏的方法（专利号ZL201110179535.6）”等发明专利26项，软件著作权1项；编制中子照相国家标准2项。获国家自然科学奖二等奖1项。该项目培养了一批具有高水平的中子散射用户团队，成长出一批国际知名专家。高性能中子源与高水平用户队伍的紧密结合，将推动我国中子散射研究的发展壮大，使我国中子散射研究在世界科技竞争中占有一席之地。 （）