|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|科技创新与应用|带有校正系数的高斯插值多相流成像算法

带有校正系数的高斯插值多相流成像算法

杨睿 戴家才 阮凡

科技创新与应用Issue(34)：57-57,1.
✕
科技创新与应用Issue(34)：57-57,1.

带有校正系数的高斯插值多相流成像算法

杨睿 1戴家才 1阮凡1

作者信息

  • 1. 湖北武汉长江大学武汉校区，湖北 武汉 430000
  • 折叠

摘要

关键词

水平井/电容阵列仪/高斯函数/成像算法

引用本文复制引用

杨睿,戴家才,阮凡..带有校正系数的高斯插值多相流成像算法[J].科技创新与应用,2014,(34):57-57,1.

科技创新与应用

2095-2945

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文