数字技术与应用Issue(6)：78-79,2.
8A/500V（150W）VDMOS
8A/500V（150W）VDMOS
郝晓波1
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- 1. 西安卫光科技有限公司 陕西西安 710065
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摘要
Abstract
VDMOS的设计，讨论了其掺杂浓度以及外延层厚度和击穿电压的关系。导通电阻和并联元胞数量的关系。器件内等效电容和开关参数的关系。关键词
VDMOS/击穿电压/导通电阻/开启时间/关断时间Key words
VDMOS/击穿电压/导通电阻/开启时间/关断时间分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郝晓波..8A/500V（150W）VDMOS[J].数字技术与应用,2014,(6):78-79,2.
