原子与分子物理学报Issue(6)：993-999,7.DOI:10.3969/j.issn.1000-0364.2014.06.025
第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si／SiO2界面电子结构与光学性质的影响
First-principles study of the impact of thickness and vacancy defects on the electronic structure and optical properties of the Si/SiO2 interface
摘要
Abstract
troducing the defects can effectively regulate the electronic and optical properties of the Si/SiO2 interface system.The results of the study provide a theoretical basis for design and application of Si/SiO2 interface nanomaterials.关键词
Si/SiO2 界面/第一性原理/空位缺陷/电子结构/光学性质Key words
Si/SiO2 interface/First principles/Vacancy defects/Electronic structure/Optical properties分类
数理科学引用本文复制引用
顾芳,陈云云,张仙岭,李敏,张加宏..第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si／SiO2界面电子结构与光学性质的影响[J].原子与分子物理学报,2014,(6):993-999,7.基金项目
国家自然科学基金（61306138，61307113）；江苏省自然科学基金 （）
