旋涂速度对制备P3 HT有机场效应晶体管性能的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Role of Spinning Speed in Fabrication of Spin-coated P3 HT-based OFETs
采用溶液化的方法制备了以PMMA为绝缘层、P3HT为有源层的有机场效应晶体管。研究了P3HT有源层和PMMA绝缘层的旋涂速度对器件性能的影响。实验结果表明，当 P3HT和 PMMA的旋涂速度均为2000 r/min时，器件的性能最佳。峰值场效应迁移率为6.84×10-2 cm2·V-1·s-1。结果表明，选择适当的旋涂速度是一种有效提高溶液化制备有机场效应晶体管性能的方法。
P3HT-based organic field effect transistors( OFETs) with PMMA gate dielectric were fabricated by solu-tion process. The effects of the spinning speeds of both P3HT active layer and PMMA gate dielectric on the perform-ance of the devices were investigated. The experiment results show that the fabricated OFETs exhibit the optimal per-formance at the spinning speeds of 2 000 r/min of both P3HT and PMMA, of which the field effect mobility is 6. 84 × 10 -2 cm2 ·V…查看全部>>
蒋晶;郑灵程;王倩;吴峰;程晓曼
天津理工大学 理学院，天津 300384天津理工大学 理学院，天津 300384天津理工大学 理学院，天津 300384天津理工大学 理学院，天津 300384天津理工大学 理学院，天津 300384
数理科学
有机场效应晶体管旋涂速度P3HTPMMA
organic field effect transistorsspinning speedP3HTPMMA
《发光学报》 2015 (8)
新型底栅垂直和双连续相异质结的有机发光场效应管研究
941-946,6
国家自然科学基金(61076065,11204214)资助项目
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