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SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用

梁美 郑琼林 可翀 李艳 游小杰

电工技术学报2015,Vol.30Issue(12):41-50,10.
电工技术学报2015,Vol.30Issue(12):41-50,10.

SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用

Performance Comparison of SiC MOSFET, Si CoolMOS and IGBT for DAB Converter

梁美 1郑琼林 1可翀 2李艳 1游小杰1

作者信息

  • 1. 北京交通大学电气工程学院 北京 100044
  • 2. 华北水利水电大学电力学院 郑州 450046
  • 折叠

摘要

关键词

SiC MOSFET/CoolMOS/IGBT/特性/DAB变换器

Key words

SiC MOSFET/CoolMOS/IGBT/performance/DAB converter

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

梁美,郑琼林,可翀,李艳,游小杰..SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用[J].电工技术学报,2015,30(12):41-50,10.

基金项目

国家电网科技项目(5355DD130003)资助. (5355DD130003)

电工技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6753

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