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往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响

何健 徐中民 宋丽 王劼 王纳秀

材料科学与工程学报2015,Vol.33Issue(5):692-696,5.
材料科学与工程学报2015,Vol.33Issue(5):692-696,5.DOI:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.014

往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响

Influence on Surface Roughness of Single-Crystal Silicon by Reciprocating Wire Cutting Process

何健 1徐中民 2宋丽 1王劼 1王纳秀1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海应用物理研究所,上海201800
  • 2. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

金刚石线/色散元件/表面粗糙度/颗粒度/切速比

Key words

Diamond wire saw/Dispersive element/Surface roughness/Particle size/Cutting speed ratio

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

何健,徐中民,宋丽,王劼,王纳秀..往复式线切割对单晶硅表面粗糙度的影响[J].材料科学与工程学报,2015,33(5):692-696,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(11175243) (11175243)

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

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