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基于MET模型的VDMOSFET建模

韩山 李文钧 林煊 刘军

电子器件2015,Vol.38Issue(5):986-992,7.
电子器件2015,Vol.38Issue(5):986-992,7.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2015.05.005

基于MET模型的VDMOSFET建模

VDMOS Modeling Based on MET Model

韩山 1李文钧 1林煊 1刘军1

作者信息

  • 1. 杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州310018
  • 折叠

摘要

关键词

VDMOS/Freescale MET模型/参数提取/Verilog-A

Key words

Vertical Double diffused MOS (VDMOS)/Freescale MET model/parameter extraction/Verilog-A

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

韩山,李文钧,林煊,刘军..基于MET模型的VDMOSFET建模[J].电子器件,2015,38(5):986-992,7.

电子器件

OA北大核心CSTPCD

1005-9490

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