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InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响

叶志成舒永春曹雪龚亮姚江宏皮彪邢晓东许京军

发光学报2011，Vol.32Issue(2)：164-168,5.

发光学报2011，Vol.32Issue(2)：164-168,5.DOI:10.3788/fgxb20113202.0164

Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells

叶志成 ¹舒永春 ¹曹雪 ¹龚亮 ¹姚江宏 ¹皮彪 ¹邢晓东 ¹许京军¹

作者信息

分子束外延/InGaAs/GaAs/应变量子阱/变温光致发光

数理科学

叶志成,舒永春,曹雪,龚亮,姚江宏,皮彪,邢晓东,许京军..InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响[J].发光学报,2011,32(2):164-168,5.

天津应用基础研究基金(06YFJZJC01100,08JCYBJC14800) （06YFJZJC01100,08JCYBJC14800）

国家"863"计划(2006AA03Z413)资助项目（2006AA03Z413）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-7032

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