发光学报2011，Vol.32Issue(2)：188-193,6.DOI:10.3788/fgxb20113202.0188
Ta2O5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响
Effect of Ta2O5 Thickness on The Performances of ZnO-based Thin Film Transistors
摘要
关键词
Ta2O5绝缘层/氧化性薄膜晶体管/磁控溅射/表面形貌Key words
Ta2O5 insulator/ZnO-TFT/RF magnetron sputtering/surface morphology分类
数理科学引用本文复制引用
周帆,张良,李俊,张小文,林华平,俞东斌,蒋雪茵,张志林..Ta2O5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响[J].发光学报,2011,32(2):188-193,6.基金项目
国家自然科学基金(60777018,60776040) （60777018,60776040）
"863"计划(2008AA03A336)资助项目.Project supported by the National Natural Science Foundation of China (60777018,60776040) （2008AA03A336）
"863" project (2008AA03A336) （2008AA03A336）
