| 注册
首页|期刊导航|南京邮电大学学报(自然科学版)|SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展

SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展

郭宇锋 李曼 杨可萌 夏晓娟 吉新村 张长春

南京邮电大学学报(自然科学版)2015,Vol.35Issue(5):11-19,9.
南京邮电大学学报(自然科学版)2015,Vol.35Issue(5):11-19,9.DOI:10.14132/j.cnki.1673-5439.2015.05.002

SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展

An overview of lateral voltage-sustaining technology in SOI lateral power devices

郭宇锋 1李曼 2杨可萌 1夏晓娟 2吉新村 1张长春2

作者信息

  • 1. 南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023
  • 2. 南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室,江苏南京210023
  • 折叠

摘要

关键词

绝缘体上硅/横向功率器件/击穿电压/导通电阻

Key words

silicon on insulator(SOI)/lateral power devices/breakdown voltage/on-resistance

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郭宇锋,李曼,杨可萌,夏晓娟,吉新村,张长春..SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展[J].南京邮电大学学报(自然科学版),2015,35(5):11-19,9.

基金项目

国家重点实验室开放基金(KFJJ201403)、教育部博士点基金(20133223110003)、江苏省自然科学基金(BK20141431)和工业支撑计划(BE2013130)资助项目 (KFJJ201403)

南京邮电大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

1673-5439

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文