人工晶体学报2015，Vol.44Issue(10)：2756-2761,6.
掺磷nc-Si:H薄膜的微结构与光电特性
Study on Microstructure and Optoelectrical Properties of Phosphorus Doped nc-Si:H Thin Films
摘要
关键词
磷掺杂氢化纳米晶硅薄膜/晶化率/界面体积分数/光吸收系数/暗电导率Key words
phosphorus-doped nc-Si:H thin films/crystallization rate/grain boundary volume fraction/light absorption coefficient/dark conductivity分类
数理科学引用本文复制引用
刘利,马蕾,吴一,范志东,郑树凯,刘磊,彭英才..掺磷nc-Si:H薄膜的微结构与光电特性[J].人工晶体学报,2015,44(10):2756-2761,6.基金项目
国家自然科学基金青年科学基金(61204079) （61204079）
河北省自然科学基金(E2012201088,F2013201196) （E2012201088,F2013201196）
河北省高等学校科学技术研究项目(2011237,ZH2012019) （2011237,ZH2012019）
河北省青年拔尖人才计划(2013) （2013）
