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背景气压对纳秒脉冲激光烧蚀半导体Ge的影响

许媛焦铮

四川大学学报（自然科学版）2015，Vol.52Issue(5)：1081-1088,8.

四川大学学报（自然科学版）2015，Vol.52Issue(5)：1081-1088,8.DOI:103969/j.issn.0490-6756.2015.09.024

Effects of ambient pressure on ns-laser ablation of Ge and its plume expansion dynamics

许媛 ¹焦铮¹

作者信息

等离子体/数值模拟/脉冲激光烧蚀/半导体Ge

Plasma/Numerical simulation/Pulsed laser ablation/Semiconductor Ge

数理科学

许媛,焦铮..背景气压对纳秒脉冲激光烧蚀半导体Ge的影响[J].四川大学学报（自然科学版）,2015,52(5):1081-1088,8.

国家自然科学基金(11305074) （11305074）

安徽省高校自然科学基金(KJH2015B02) （KJH2015B02）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：0490-6756

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