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(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

马建立 张鹤鸣 宋建军 王冠宇 王晓艳

物理学报2011,Vol.60Issue(2):552-557,6.
物理学报2011,Vol.60Issue(2):552-557,6.

(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

Energy band structure of uniaxial-strained silicon material on the (001) surface arbitrary orientation

马建立 1张鹤鸣 1宋建军 1王冠宇 1王晓艳1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

单轴应变硅/K·P法/能带结构

引用本文复制引用

马建立,张鹤鸣,宋建军,王冠宇,王晓艳..(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构[J].物理学报,2011,60(2):552-557,6.

基金项目

国家部委项目(批准号:51308040203,6139801),中央高校基本科研业务费项目(批准号:72105499)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题. (批准号:51308040203,6139801)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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