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超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

苏平 罗代升 龚敏 马瑶 高博 石瑞英 陈昶 史同飞 曹先存 孟祥豪

物理学报2011，Vol.60Issue(2)：576-581,6.
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物理学报2011，Vol.60Issue(2)：576-581,6.

超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

The hole concentration and strain relaxation of ultrathin GaMnAs film

苏平 1罗代升 2龚敏 2马瑶 1高博 1石瑞英 1陈昶 1史同飞 1曹先存 3孟祥豪3

作者信息

  • 1. 四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064
  • 2. 四川大学电子信息学院,成都,610064
  • 3. 中国科学院固体物理所,合肥,230031
  • 折叠

摘要

关键词

空穴浓度/应变弛豫/倒易空间图/准共格

引用本文复制引用

苏平,罗代升,龚敏,马瑶,高博,石瑞英,陈昶,史同飞,曹先存,孟祥豪..超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究[J].物理学报,2011,60(2):576-581,6.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60676052)资助的课题. （批准号:60676052）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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