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O2流量对磁控溅射N掺杂TiO2薄膜成分及晶体结构的影响

丁万昱 王华林 巨东英 柴卫平

物理学报2011，Vol.60Issue(2)：728-735,8.
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物理学报2011，Vol.60Issue(2)：728-735,8.

O2流量对磁控溅射N掺杂TiO2薄膜成分及晶体结构的影响

Composition and crystal structure of N doped TiO2 film deposited with different O2 flow rates

丁万昱 1王华林 2巨东英 1柴卫平3

作者信息

  • 1. 大连交通大学材料科学与工程学院,辽宁省教育厅光电材料与器件工程研究中心,大连,116028
  • 2. 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连,116028
  • 3. 埼玉,工业大学材料科学与工程学院,日本埼玉369-0293
  • 折叠

摘要

关键词

N掺杂TiO2薄膜/磁控溅射/化学配比/晶体结构

引用本文复制引用

丁万昱,王华林,巨东英,柴卫平..O2流量对磁控溅射N掺杂TiO2薄膜成分及晶体结构的影响[J].物理学报,2011,60(2):728-735,8.

基金项目

大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室开放课题(批准号:DP1050901)资助的课题. （批准号:DP1050901）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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