物理学报2011，Vol.60Issue(2)：750-755,6.
硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究
Base resistance in Si unijunction transistor irradiated by 60 Co γ-radiation
摘要
关键词
单结晶体管/γ射线/实时监测/基区电阻引用本文复制引用
赵鸿飞,杜磊,何亮,包军林..硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究[J].物理学报,2011,60(2):750-755,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60376023)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200603)资助的课题. （批准号:60376023）
