前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Quantitative analysis on the influences of the precursor and annealing temperature on Nd2O3 film composition∗
采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175◦C提高到185◦C后,薄膜的质量得到提高, O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32.
In this paper, ultra-thin Nd2O3 dielectric films are deposited on p-type silicon substrates by advanced atomic layer deposition method. Nd (thd)3 and O3 are used as the reaction precursors separately. The as-grown samples are annealed in N2 atmosphere in a temperature range of 700—900 ◦C. The samples are investigated at room temperature by X-ray photoelectron spectroscopy and the changes of the film composition at different annealing temperatures are discu…查看全部>>
张旭杰;刘红侠;范小娇;樊继斌
西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071
原子层淀积Nd2O3前驱体温度X射线光电子能谱仪
atomic layer depositionNd2O3precursor temperatureX-ray phoroelectron spectroscopy
《物理学报》 2013 (3)
367-373,7
重庆市自然科学基金(批准号:CSTC.2011BA4031)和国家自然科学基金(批准号:1075314)资助的课题
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