氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Micro-structural and resistive switching properties of vanadium oxide thin films∗
采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜. X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)和V2O3(110)峰外,没有明显的结晶取向,是VO2, V2O5, V2O3及VO的混合相薄膜,且薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为1 nm.采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试.结果表明薄膜具有较低的开关电压(VSet<1 V, …查看全部>>
Vanadium oxide thin films are deposited on Cu/Ti/SiO2/Si by reactive sputtering at room temperature. The crystal structure, component and surface morphology of VOx film are characterized by X ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy, respectively. These investigations reveal that there is no obvious crystal orientation except weak V2O5 (101) and V2O3 (110) peaks, and the film contains VO2, V2O5, V2O3 and VO mixture phas…查看全部>>
韦晓莹;胡明;张楷亮;王芳;刘凯
天津大学电子信息工程学院，天津 300072天津大学电子信息工程学院，天津 300072天津理工大学电子信息工程学院，天津市薄膜电子与通信器件重点实验室，天津 300384天津大学电子信息工程学院，天津 300072 天津理工大学电子信息工程学院，天津市薄膜电子与通信器件重点实验室，天津 300384
氧化钒薄膜电阻开关电阻式非挥发存储器导电细丝
VOx thin filmsresistive switchingresistive random access memoryconductive filaments
《物理学报》 2013 (4)
411-416,6
国防预研究基金(批准号:9140A23060111)、中央高校基本科研业务费(批准号:K50510250002)和陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:2011KTCQ01-19)资助的课题
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