基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理OA北大核心CSCDCSTPCD
The damage effect and mechanism of bipolar transistors induced by injection of electromagnetic pulse from the base∗
建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型，对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真。结果表明， BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化，低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致，烧毁点位于发射结柱面区；而在高脉冲幅度下，由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁；BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小，而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变…查看全部>>
A two-dimensional electrothermal model of the bipolar transistor (BJT) is established, and the transient behaviors of the BJT originally in the forward-active region are simulated with the injection of electromagnetic pulse from the base. The results show that the damage location of the BJT shifts with the amplitude of the pulse. With a low pulse amplitude, the burnout of the BJT is caused by the avalanche breakdown of the emitter-base junction, and the da…查看全部>>
任兴荣†;柴常春;马振洋;杨银堂;乔丽萍;史春蕾
西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071
双极晶体管强电磁脉冲烧毁点位置损伤能量
bipolar transistorintense electromagnetic pulsedamage locationdamage energy
《物理学报》 2013 (6)
464-469,6
国家自然科学基金(批准号:60776034)资助的课题
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