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Cu(In,Ga)Se2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程

刘芳芳 张力† 何青

物理学报Issue(7):385-391,7.
物理学报Issue(7):385-391,7.DOI:10.7498/aps.62.077201

Cu(In,Ga)Se2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程

The phase transformation of Cu(In,Ga)Se2 film prepared by three-stage process of co-evaporation∗

刘芳芳 1张力† 1何青1

作者信息

  • 1. 南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300071
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摘要

Abstract

The Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) phase transformation during the“three-stage”evaporation is the key problem for obtaining high-quality absorber. Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) thin film has been prepared via co-evaporation“three-stage process”. The phase transformation was studied by means of XRD, XRF (X-ray fluoroscopy) and SEM. And the efficiency above 15%of CIGS film solar cell was obtained succossfully.

关键词

CIGS薄膜/共蒸发三步法/相变过程

Key words

CIGS film/co-evaporation“three-stage process”/phase transformation

引用本文复制引用

刘芳芳,张力†,何青..Cu(In,Ga)Se2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程[J].物理学报,2013,(7):385-391,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11074280)、江苏高校优势学科建设工程项目、中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP20914, JUSRP51323B, JUDCF12031, JUDCF12032)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110)资助的课题 (批准号:11074280)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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