高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究OA北大核心CSCDCSTPCD
The preparation and characteristics research of high mobility amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors∗
由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT).利用X射线衍射仪(XRD)和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱,研究了IGZO薄膜的结构和光学特性.通过测试IGZO-TFT的输…查看全部>>
Indium gallium zinc oxide (IGZO) is widely used in thin-film transistors (TFT) as an active layer due to its high mobility and transmittance. The amorphous n-type indium gallium zinc oxide thin-film transistors (IGZO-TFT) of bottom gate with high mobility were prepared, the active layer, source and drain electrode of the TFT were prepared by using magnetron sputtering method, and a low cost mask was used to control the size of the channel. The diffra…查看全部>>
李帅帅;梁朝旭;王雪霞;李延辉;宋淑梅;辛艳青;杨田林†
山东大学威海空间科学与物理学院，威海 264209山东大学威海空间科学与物理学院，威海 264209山东大学威海空间科学与物理学院，威海 264209山东大学威海空间科学与物理学院，威海 264209山东大学威海空间科学与物理学院，威海 264209山东大学威海空间科学与物理学院，威海 264209山东大学威海空间科学与物理学院，威海 264209
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管有源层
amorphous indium gallium zinc oxidethin-film transistoractive layer
《物理学报》 2013 (7)
类胡萝卜素分子结构有序对性能的影响
405-409,5
国家自然科学基金(批准号:10974067)、新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-0201)和吉林省创新团队(批准号:20121806)资助的课题
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