应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响∗OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of prior stress-relief on the gliding of indentation dislocations on silicon wafers
The mechanical strengths of silicon wafers are crucial for the manufacturing yield of integrated circuits (ICs), which have received intensive attention over the years. With reducing the feature size of ICs, the mechanical strengths of silicon wafers become more significant. Actually, the gliding of indentation dislocations on single-crystalline silicon wafers at a given temperature reflects the mechanical strengths of silicon wafers. Since the gliding of in…查看全部>>
赵泽钢;田达晰;赵剑;梁兴勃;马向阳;杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学材料科学与工程学院，杭州 310027浙江金瑞泓科技股份有限公司，宁波 315800浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学材料科学与工程学院，杭州 310027浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学材料科学与工程学院，杭州 310027浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学材料科学与工程学院，杭州 310027浙江大学硅材料国家重点实验室，浙江大学材料科学与工程学院，杭州 310027
单晶硅片压痕位错滑移应力释放
silicon waferindentationdislocation glidingstress-relief
《物理学报》 2015 (20)
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
1-7,7
国家自然科学基金(批准号:60906001,61274057)和国家科技重大专项(批准号:2010ZX02301-003)资助的课题
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