|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|原子能科学技术|不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应

不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应

费武雄 兰博 崔江维 赵云 陆妩 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺

原子能科学技术2011，Vol.45Issue(2)：217-222,6.
✕
原子能科学技术2011，Vol.45Issue(2)：217-222,6.

不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应

Radiation Response of NPN Bipolar Transistors at Various Emitter Junction Biases

费武雄 1兰博 2崔江维 3赵云 1陆妩 2任迪远 3郑玉展 1王义元 2陈睿 3王志宽 1杨永晖 2李茂顺3

作者信息

  • 1. 中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
  • 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆,乌鲁木齐,830011
  • 3. 中国科学院,研究生院,北京,100049
  • 折叠

摘要

关键词

NPN双极晶体管/60Coγ辐照/偏置/低剂量率辐照损伤增强

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

费武雄,兰博,崔江维,赵云,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,陈睿,王志宽,杨永晖,李茂顺..不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应[J].原子能科学技术,2011,45(2):217-222,6.

基金项目

模拟集成电路国家重点实验室资助项目(91400090403070C09) （91400090403070C09）

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

访问量8
|
下载量0
段落导航相关论文