四川大学学报（自然科学版）2015，Vol.52Issue(6)：1293-1296,4.DOI:103969/j.issn.0490-6756.2015.11.019
GaAs基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜的缺陷结构对比分析
The defect of undoped and Te-doped GaSb based on GaAs substrate
摘要
关键词
GaSb/正电子湮没/X射线衍射/原子力显微镜分类
数理科学引用本文复制引用
陈燕,郭辛,邓爱红..GaAs基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜的缺陷结构对比分析[J].四川大学学报（自然科学版）,2015,52(6):1293-1296,4.基金项目
国家自然科学基金(11275132) （11275132）
绵阳师范学院自然科学基金(2014A11) （2014A11）
