大功率变流技术Issue(6)：41-44,4.DOI:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.06.009
温度和氯源对大功率IGBT栅氧工艺的影响
Effect of Oxidation Temperature and Chlorine Source on the Gate Oxidation Process for High Power IGBT
张泉 1刘国友 1黄建伟1
作者信息
- 1. 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心(Lincoln分中心),英国林肯LN63LF
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摘要
关键词
IGBT/栅氧工艺/栅氧电荷/氧化温度/氯源分类
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张泉,刘国友,黄建伟..温度和氯源对大功率IGBT栅氧工艺的影响[J].大功率变流技术,2015,(6):41-44,4.
