Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能OA北大核心CSCDCSTPCDSCI
Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals and its Raman spectrum
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.
王仍;焦翠灵;徐国庆;张莉萍;张可锋;陆液;杜云辰;邵秀华;林杏潮
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
电子信息工程
Hg1-xCdxTe晶体磁输运迁移率谱二次离子质谱
Hg1-xCdxTe crystalmagneto-transportmobility spectrumsecondary ion mass spectroscopy (SIMS)
《红外与毫米波学报》 2015 (4)
日盲紫外GaN基探测器集成技术基础研究
432-436,5
国家自然科学基金(61106097, 61204134, 11304335),中科院三期创新项目(Q-ZY-87/Q-ZY-88)Supported by National Natural Science Foundation of China (61106097, 61204134, 11304335),and the Innovation Program of Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Sciences(Q-ZY-87/Q-ZY-88)
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