人工晶体学报2015，Vol.44Issue(12)：3799-3803,5.
生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响
Effects of Growth Conditions on Surface Morphology of Barrier Layer and Mobility of the Two-dimensional Electron Gas of AlGaN/GaN HEMT
摘要
关键词
氮化镓/表面形貌/二维电子气/迁移率Key words
GaN/surface morphology/two-dimensional electron gas/mobility分类
数理科学引用本文复制引用
张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚..生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响[J].人工晶体学报,2015,44(12):3799-3803,5.基金项目
Natural Science Foundation of China under Grant (11134006) （11134006）
Shandong University Natural Science Special(2014QY005) （2014QY005）
863 Program (2015AA033302) （2015AA033302）
