人工晶体学报2015，Vol.44Issue(12)：3811-3815,5.
MOCVD生长的GaN基LED的应力分析
Strain Analysis of Light-emitting Diodes based on GaN Structure Grown by MOCVD
摘要
关键词
氮化镓/金属有机化学气相沉积法/翘曲度Key words
GaN/MOCVD/warp分类
数理科学引用本文复制引用
张恒,曲爽,王成新,胡小波,徐现刚..MOCVD生长的GaN基LED的应力分析[J].人工晶体学报,2015,44(12):3811-3815,5.基金项目
Natural Science Foundation of China under Grant (11134006) （11134006）
Shandong University Natural Science Special (2014QY005) （2014QY005）
863 Program (2015AA033302) （2015AA033302）
