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n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

石铭 邵秀梅 唐恒敬 李淘 黄星 曹高奇 王瑞 李平 李雪

红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(1)：47-51,5.
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红外与毫米波学报2016，Vol.35Issue(1)：47-51,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2016.01.009

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors

石铭 1邵秀梅 2唐恒敬 3李淘 1黄星 2曹高奇 1王瑞 2李平 1李雪2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
  • 3. 中国科学院大学,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

InGaAs/ICPCVD/暗电流/n-on-p/钝化

Key words

InGaAs/ICPCVD/dark current/n-on-p/passivation

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

石铭,邵秀梅,唐恒敬,李淘,黄星,曹高奇,王瑞,李平,李雪..n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺[J].红外与毫米波学报,2016,35(1):47-51,5.

基金项目

国家重点基础研究发展计划资助973项目(2012CB619200) （2012CB619200）

国家自然科学基金(61205105、61376052和61475179)National Key Basic Research and Development Program of China (2012CB619200) （61205105、61376052和61475179）

the National Natural Science Foundation of China (61205105,61376052 and 61475179) （61205105,61376052 and 61475179）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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