电工技术学报2015，Vol.30Issue(22)：57-61,5.
4700V碳化硅PiN整流二极管
4 700V SiC PiN Rectifier
摘要
关键词
4H型碳化硅/整流二极管/终端保护/少子注入Key words
4H-SiC/PiN rectifier/termination structure/minority carrier injection分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈思哲,盛况..4700V碳化硅PiN整流二极管[J].电工技术学报,2015,30(22):57-61,5.基金项目
国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401)和国家电网公司2013年总部科技项目(SGRIDGKJ[2013]210号)资助. （863计划）
