首页|期刊导航|红外与毫米波学报|硒化温度对Cu(In,Al) Se2薄膜结构和光学性质的影响

硒化温度对Cu(In,Al) Se2薄膜结构和光学性质的影响

曹辉义邓红梅崔金玉孟宪宽张俊孙琳杨平雄褚君浩

红外与毫米波学报2015，Vol.34Issue(6)：726-730,5.

红外与毫米波学报2015，Vol.34Issue(6)：726-730,5.DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.017

硒化温度对Cu(In,Al) Se2薄膜结构和光学性质的影响

The influence of selenization temperatures on the structural and optical properties of Cu (In, Al) Se2 thin films

曹辉义 ¹邓红梅 ²崔金玉 ¹孟宪宽 ³张俊 ¹孙琳 ¹杨平雄 ¹褚君浩¹

作者信息

1. 华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241
2. 上海大学微结构实验室,上海200444
3. 绥化学院电气工程学院,黑龙江绥化152061
折叠

摘要

关键词

Cu(In,Al) Se2/薄膜/硒化温度

Key words

Cu (In, Al) Se2/thin film/selenizaiton temperature

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曹辉义,邓红梅,崔金玉,孟宪宽,张俊,孙琳,杨平雄,褚君浩..硒化温度对Cu(In,Al) Se2薄膜结构和光学性质的影响[J].红外与毫米波学报,2015,34(6):726-730,5.

基金项目

国家自然科学基金(61474045),国家重点基础研究项目(2013CB922300) Supported by National Natural Science Foundation of China (61474045) , and National Key Basic Research Project (2013CB922300) （61474045）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1001-9014

访问量0

下载量0

段落导航