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单晶硅各向异性湿法刻蚀的形貌控制OA北大核心CSCDCSTPCD

Morphologic control of wet anisotropic silicon etching

中文摘要

针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究.分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制.通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1 nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌.实验结果表明,在三重溶液(TMAH+ Triton-X-100+ IPA)下的刻蚀形貌具有明显优势.最后…查看全部>>

姚明秋;唐彬;苏伟

南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏南京210094中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999

机械制造

单晶硅湿法刻蚀形貌控制三重溶液表面粗糙度凸角

siliconwet etchingmorphological controlternary solutionsurface roughnessconvex corner

《光学精密工程》 2016 (2)

添加剂在单晶硅湿法刻蚀中的作用及刻蚀形貌控制研究

350-357,8

国家自然科学基金资助项目(No.51305412)中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室研究基金资助项目(No.2012CJMZZ00003)

10.3788/OPE.20162402.0350

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