SrTiO3缓冲层引起的铁电薄膜极化对称性破缺OA
Broken Inversion Symmetry in Ferroelectric Thin Film Induced by SrTiO3 Buffer Layer
采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO3缓冲层对Pt/PbTiO3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响.针对PbO和TiO22种不同终端表面的PbTiO3铁电电容,在Pt与PbTiO3的下界面处逐层引入SrTiO3缓冲层,研究了PbTiO3薄膜极化性质的演化规律.结果表明,引入SrTiO3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的.
张文庆;杨琼;曹觉先;周益春
湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭411105湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭411105湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭411105湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭411105
数理科学
铁电薄膜缓冲层界面极化对称性破缺
《现代应用物理》 2015 (4)
基于第一性原理计算的铁电场效应晶体管相场有限元数值模拟
286-292,7
国家自然科学基金资助项目(1140222111502224)
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