温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Temperature Effects on Performance Parameters in 4 T CMOS Image Sensor
为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.02654 DN/e 下降到0.02379 DN/e,饱和输出从4030 DN下降到3396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e· pixel-1·s-…查看全部>>
In order to provide a reliable guidance for the spatial application of the 4 T CMOS image sensor, temperature effects on 4T active pixel sensor CMOS image sensor from -40 ℃ to 80 ℃were presented. The influences of temperature on conversion gain, full well charge, saturated output and dark current of the device were investigated. The experiment results show that the conversion gain of device decreases from 0. 026 54 DN/e to 0. 023 79 DN/e, the saturated outpu…查看全部>>
王帆;李豫东;郭旗;汪波;张兴尧
中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院 新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011 中国科学院大学，北京 100049中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院 新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院 新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院 新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011
信息技术与安全科学
CMOS图像传感器转换增益满阱容量暗电流温度
CMOS image sensorconversion gainfull well chargedark currenttemperature
《发光学报》 2016 (3)
基于像素单元的CMOS图像传感器辐射损伤机理研究
332-337,6
国家自然科学基金（11005152）资助项目
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