| 注册
首页|期刊导航|华中师范大学学报(自然科学版)|不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响

不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响

毛彩霞 黄海铭 胡永红

华中师范大学学报(自然科学版)2016,Vol.50Issue(2):190-195,6.
华中师范大学学报(自然科学版)2016,Vol.50Issue(2):190-195,6.

不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响

The influences of different Mg-doping positions on the electronic structure, density of state and optical properties of ZnO

毛彩霞 1黄海铭 2胡永红1

作者信息

  • 1. 湖北科技学院核技术与化学生物学院,湖北咸宁437100
  • 2. 湖北汽车工业学院理学院,湖北十堰442002
  • 折叠

摘要

关键词

第一性原理计算/电子结构/态密度/光学性质/MgZnO

Key words

first-principle calculation/electronic structure/state density/optical property/MgZnO

分类

物理学

引用本文复制引用

毛彩霞,黄海铭,胡永红..不同Mg掺杂位置对ZnO电子结构、态密度和光学性质的影响[J].华中师范大学学报(自然科学版),2016,50(2):190-195,6.

基金项目

江苏省博士后基金资助项目(1302099C) (1302099C)

湖北科技学院教学研究项目(2013-XA-012). (2013-XA-012)

华中师范大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

1000-1190

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文