物理学报2016，Vol.65Issue(2)：176-181,6.DOI:10.7498/aps.65.024212
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors
王帆 1李豫东 2郭旗 3汪波 3张兴尧 1文林 2何承发3
作者信息
- 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
- 2. 中国科学院大学,北京 100049
- 3. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011
- 折叠
摘要
关键词
互补金属氧化物半导体图像传感器/电离总剂量效应/钳位二极管/满阱容量Key words
complementary metal oxide semiconductor image sensor/total ionizing dose radiation effect/pinned photodiode/full well chargecapacity引用本文复制引用
王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧,文林,何承发..基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究[J].物理学报,2016,65(2):176-181,6.
