光通信研究Issue(2)：56-58,3.DOI:10.13756/j.gtxyj.2016.02.018
并联MZI型IQ调制器的直流偏置特性实验研究
Study on the Bias Characteristic of IQ Modulator with Parallel MZI Structure
张广博 1黄钊 2马卫东2
作者信息
- 1. 武汉邮电科学研究院,武汉 430074
- 2. 武汉光迅科技股份有限公司,武汉 430074
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摘要
关键词
正交调制器/马赫曾德干涉型/偏置电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张广博,黄钊,马卫东..并联MZI型IQ调制器的直流偏置特性实验研究[J].光通信研究,2016,(2):56-58,3.
