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钇和钬掺杂对铋层状化合物的介电性的影响

龙春艳 何曼 徐军

武汉工程大学学报2015,Vol.37Issue(12):45-48,4.
武汉工程大学学报2015,Vol.37Issue(12):45-48,4.DOI:10.3969/j.issn.1674-2869.2015.12.010

钇和钬掺杂对铋层状化合物的介电性的影响

Effect of yttrium and holmium doping on dielectric properties of bismuth layer-structured compounds

龙春艳 1何曼 1徐军1

作者信息

  • 1. 武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430074
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摘要

关键词

铋层状化合物/钇掺杂/钬掺杂/介电性能

Key words

bismuth-layered compound/yttrium-doped/holmium-doped/dielectric properties

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

龙春艳,何曼,徐军..钇和钬掺杂对铋层状化合物的介电性的影响[J].武汉工程大学学报,2015,37(12):45-48,4.

基金项目

武汉工程大学大学生第六届研究生创新基金(CX2014067) (CX2014067)

武汉工程大学学报

1674-2869

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