利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征OA北大核心CSCDCSTPCD
Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy
利用全固态分子束外延(MBE)方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射(RHEED)、高分辨X射线衍射(XRD),原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温GaAs成核层呈现层状生长模式.同时降低生长温度和生长速率会使GaAs薄膜的XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)减小,并降低外延层表面的粗糙度,这主要是由于衬底和外延薄膜之间的晶格失配度减小的结果.
何巍;陆书龙;杨辉
中国人民武装警察部队学院 基础部,河北 廊坊 065000中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件及相关材料研究部,江苏 苏州 215123中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件及相关材料研究部,江苏 苏州 215123
信息技术与安全科学
分子束外延(MBE)GaAs/Ge异质外延
molecular beam epitaxy(MBE)GaAs/Geheteroepitaxial growth
《红外与毫米波学报》 2016 (2)
内嵌量子点三结(Al)GaInP/InGaAs/Ge太阳电池材料的MBE生长及器件相关问题研究
206-209,4
国家自然科学基金(61176128)Supported by National Natural Science Foundation of China(61176128)
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