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SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响

祝祖送 张杰 尹训昌 易明芳 闻军

人工晶体学报2016,Vol.45Issue(4):1012-1016,1028,6.
人工晶体学报2016,Vol.45Issue(4):1012-1016,1028,6.

SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响

Effects of SiCl4 Concentration on the Growth and Photoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films

祝祖送 1张杰 1尹训昌 1易明芳 1闻军1

作者信息

  • 1. 安庆师范学院物理与电气工程学院,安庆246133
  • 折叠

摘要

关键词

微晶硅/稳恒光电导效应/晶粒/等离子体增强化学气相沉积

Key words

microcrystalline silicon/persistent photoconductivity effect/crystalline grain/PECVD

分类

数理科学

引用本文复制引用

祝祖送,张杰,尹训昌,易明芳,闻军..SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响[J].人工晶体学报,2016,45(4):1012-1016,1028,6.

基金项目

国家自然科学基金(11447197) (11447197)

安徽省教育厅资助项目(AQKJ2014B019) (AQKJ2014B019)

安徽省自然科学基金(1608085MA21) (1608085MA21)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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