人工晶体学报2016,Vol.45Issue(4):1012-1016,1028,6.
SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响
Effects of SiCl4 Concentration on the Growth and Photoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films
摘要
关键词
微晶硅/稳恒光电导效应/晶粒/等离子体增强化学气相沉积Key words
microcrystalline silicon/persistent photoconductivity effect/crystalline grain/PECVD分类
数理科学引用本文复制引用
祝祖送,张杰,尹训昌,易明芳,闻军..SiCl4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响[J].人工晶体学报,2016,45(4):1012-1016,1028,6.基金项目
国家自然科学基金(11447197) (11447197)
安徽省教育厅资助项目(AQKJ2014B019) (AQKJ2014B019)
安徽省自然科学基金(1608085MA21) (1608085MA21)