物理化学学报2016，Vol.32Issue(3)：711-716,6.DOI:10.3866/PKU.WHXB20151224
多孔与平面硅电极界面的电化学行为
Electrochemical Behavior of Porous and Flat Silicon Electrode Interfaces
摘要
关键词
多孔硅/硅电极界面/腐蚀速率/开路电位/极化曲线/界面电化学Key words
Porous silicon/Silicon electrode interface/Corrosion rate/Open circuit potential/Polarization curve/Interface electrochemistry分类
化学化工引用本文复制引用
吕京美,程璇..多孔与平面硅电极界面的电化学行为[J].物理化学学报,2016,32(3):711-716,6.基金项目
The project was supported by the National Natural Science Foundation of China (11372263).国家自然科学基金(11372263)资助项目 （11372263）
