| 注册
首页|期刊导航|物理化学学报|蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯

蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯

刘庆彬 蔚翠 何泽召 王晶晶 李佳 芦伟立 冯志红

物理化学学报2016,Vol.32Issue(3):787-792,6.
物理化学学报2016,Vol.32Issue(3):787-792,6.DOI:10.3866/PKU.WHXB201512183

蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯

Epitaxial Graphene on Sapphire Substrate by Chemical Vapor Deposition

刘庆彬 1蔚翠 1何泽召 1王晶晶 1李佳 1芦伟立 1冯志红1

作者信息

  • 1. 河北半导体研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051
  • 折叠

摘要

关键词

石墨烯/蓝宝石/化学气相沉积法/生长温度/刻蚀机理

Key words

Graphene/Sapphire/Chemical vapor deposition/Growth temperature/Etching mechanism

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘庆彬,蔚翠,何泽召,王晶晶,李佳,芦伟立,冯志红..蓝宝石衬底上化学气相沉积法生长石墨烯[J].物理化学学报,2016,32(3):787-792,6.

基金项目

The project was supported by the National Natural Science Foundation of China (61306006).国家自然科学基金(61306006)资助项目 (61306006)

物理化学学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-6818

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文