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Al-2N掺杂量对ZnO光电性能的影响

侯清玉 曲灵丰 赵春旺

物理学报2016,Vol.65Issue(5):288-295,8.
物理学报2016,Vol.65Issue(5):288-295,8.DOI:10.7498/aps.65.057401

Al-2N掺杂量对ZnO光电性能的影响

Effects of Al-2N doping on the photoelectric properties of ZnO

侯清玉 1曲灵丰 1赵春旺1

作者信息

  • 1. 内蒙古工业大学理学院物理系,呼和浩特010051
  • 折叠

摘要

关键词

Al-2N掺杂ZnO/吸收光谱/导电性能/第一性原理

Key words

Al-2N doped ZnO/absorption spectrum/conductive property/first principals

引用本文复制引用

侯清玉,曲灵丰,赵春旺..Al-2N掺杂量对ZnO光电性能的影响[J].物理学报,2016,65(5):288-295,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:61366008,11272142)和教育部“春晖计划”内蒙古自治区高等学校科学研究项目(批准号:NJZZ13099)资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.61366008,11272142),the "Spring Sunshine" Project of Ministry of Education of China,and the College Science Research Project of Inner Mongolia Autonomous Region,China (Grant No.NJZZ13099). (批准号:61366008,11272142)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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