国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应

高博王立新刘刚罗家俊韩郑生王路璐邓海涛

太赫兹科学与电子信息学报2016，Vol.14Issue(1)：143-147,5.

太赫兹科学与电子信息学报2016，Vol.14Issue(1)：143-147,5.DOI:10.11805/TKYDA201601.0143

Single event effects for domestic radiation-hardened power MOSFET devices

高博 ¹王立新 ¹刘刚 ¹罗家俊 ¹韩郑生 ¹王路璐 ¹邓海涛¹

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功率金属-氧化物半导体场效应晶体管/单粒子效应/抗辐射加固

power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor/single event effects/radiation hardened

信息技术与安全科学

高博,王立新,刘刚,罗家俊,韩郑生,王路璐,邓海涛..国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(1):143-147,5.

国家自然科学基金资助项目(61204110) （61204110）

中国科学院重点实验室基金资助项目(CXJJ-15S079) （CXJJ-15S079）

OACSTPCD

ISSN：2095-4980

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