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金属/La2O3/Si结构电流机制研究

仇庆林 朱燕艳 方泽波

真空电子技术Issue(2):18-22,26,6.
真空电子技术Issue(2):18-22,26,6.

金属/La2O3/Si结构电流机制研究

The Current Leakage Mechanism of Metal/La2O3/Si Structures

仇庆林 1朱燕艳 1方泽波2

作者信息

  • 1. 上海电力学院,上海200090
  • 2. 绍兴文理学院,浙江绍兴312000
  • 折叠

摘要

关键词

高k栅介质/漏电流/能带结构

Key words

High-k gate dielectric/Current leakage/Energy band structure

分类

数理科学

引用本文复制引用

仇庆林,朱燕艳,方泽波..金属/La2O3/Si结构电流机制研究[J].真空电子技术,2016,(2):18-22,26,6.

真空电子技术

1002-8935

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