材料科学与工程学报2016，Vol.34Issue(3)：345-347,361,4.DOI:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.03.001
重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响
Effect of Heavy Boron-doping on Motion of Indentation Dislocations on Silicon Wafers
摘要
关键词
单晶硅片/重掺硼/位错滑移Key words
Silicon wafer/heavy boron-doping/dislocation gliding分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵泽钢,赵剑,马向阳,杨德仁..重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响[J].材料科学与工程学报,2016,34(3):345-347,361,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(60906001和61274057)、国家科技重大专项资助项目(2010ZX02301-003) （60906001和61274057）
