重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of Heavy Boron-doping on Motion of Indentation Dislocations on Silicon Wafers
对比研究了轻掺硼(1.5×1016 cm-3)和重掺硼(1.2×1020 cm-3)直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移的情况.研究表明:重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应力及应力场区域显著小于轻掺硼硅片的.在900℃热处理时,轻掺硼硅片上的压痕位错发生显著的滑移,而重掺硼硅片上的压痕位错几乎不发生滑移.一方面,重掺硼降低了单晶硅的压痕断裂韧性,使侧向裂纹尺寸增大而释放更多的应力,从而使压痕的残余应力变小;另一方面,重掺硼对…查看全部>>
赵泽钢;赵剑;马向阳;杨德仁
硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州 310027硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州 310027硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州 310027硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州 310027
信息技术与安全科学
单晶硅片重掺硼位错滑移
Silicon waferheavy boron-dopingdislocation gliding
《材料科学与工程学报》 2016 (3)
345-347,361,4
国家自然科学基金资助项目(60906001和61274057)、国家科技重大专项资助项目(2010ZX02301-003)
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