发光学报2016，Vol.37Issue(2)：208-212,5.DOI:10.3788/fgxb20163702.0208
高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究
Simulation and Design of High Efficiency InGaN/AlInGaN Based Light-emitting Diodes
摘要
关键词
氮化镓/发光二极管/效率下降Key words
GaN/LED/efficiency droop分类
数理科学引用本文复制引用
宿世臣,裴磊磊,张红艳,王佳,赵灵智..高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究[J].发光学报,2016,37(2):208-212,5.基金项目
国家自然科学基金(61205037,61574063) （61205037,61574063）
中国博士后基金(2013M53186,2015T80910) （2013M53186,2015T80910）
教育部新教师基金 （）
高等学校博士学科点专项科研基金(20124407120017) （20124407120017）
广东省省级科技计划(2015A090905003,2014B040404067) （2015A090905003,2014B040404067）
广州市产学研协同创新重大专项(201508030033) （201508030033）
广州市越秀区产学研项目(2013-CY-007)资助 （2013-CY-007）
